IXTP08N120P

IXYS
747-IXTP08N120P
IXTP08N120P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.8 Amps 1200V 25 Rds

Modelo ECAD:
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En existencias: 568

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 24.73 S/ 24.73
S/ 12.90 S/ 129.00
S/ 10.79 S/ 1,079.00
S/ 9.76 S/ 4,880.00
S/ 9.29 S/ 9,290.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
800 mA
25 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 24 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 26 ns
Serie: IXTP08N120
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 55 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99