IXTP06N120P

IXYS
747-IXTP06N120P
IXTP06N120P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.6 Amps 1200V 32 Rds

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 301

Existencias:
301 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
76 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 24.94 S/ 24.94
S/ 13.16 S/ 131.60
S/ 11.95 S/ 1,195.00
S/ 11.09 S/ 5,545.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
600 mA
30 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
13.3 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 27 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 24 ns
Serie: IXTP06N120
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99