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IXTP02N120P

Name: IXYS IXTP02N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP02N120P
Price: 14.92 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTP02N120P

Fabricante N.º:

IXTP02N120P

Fabricante:

IXYS

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	200 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	4.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	33 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	39 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	IXTP02N120
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns
Peso de la unidad:	2 g