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IXTK8N150L

Name: IXYS IXTK8N150L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTK8N150L
Price: 197.89 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTK8N150L

Fabricante N.º:

IXTK8N150L

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V

Hoja de datos:

IXTK8N150L Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/ 168.78	S/ 1,687.80
	S/ 147.66	S/ 14,766.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-264-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.5 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.6 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	8 V
Qg - Carga de puerta:	250 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	700 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	95 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	IXTK8N150
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	90 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	36 ns
Peso de la unidad:	10 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.