IXTH50P10

IXYS
747-IXTH50P10
IXTH50P10

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -50 Amps -100V 0.055 Rds

Modelo ECAD:
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En existencias: 4

Existencias:
4 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 51.73 S/ 51.73
S/ 36.98 S/ 369.80
S/ 30.10 S/ 3,612.00
S/ 28.81 S/ 14,693.10

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
P-Channel
1 Channel
100 V
50 A
55 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
140 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 38 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 13 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 39 ns
Serie: IXTH50P10
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 86 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 46 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541500000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99