IXTA1R4N100P

IXYS
747-IXTA1R4N100P
IXTA1R4N100P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4 Amps 1000V 11 Rds

Modelo ECAD:
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En existencias: 473

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 18.45 S/ 18.45
S/ 9.46 S/ 94.60
S/ 8.56 S/ 856.00
S/ 7.44 S/ 3,720.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
1 kV
1.4 A
11 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
17.8 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 28 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 35 ns
Serie: IXTA1R4N100
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 65 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 4 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99