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IXTA1N120P-TRL

Name: IXYS IXTA1N120P-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA1N120P-TRL
Price: 5.68 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXTA1N120P-TRL

Fabricante N.º:

IXTA1N120P-TRL

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA1N120P TRL

Hoja de datos:

IXTA1N120P-TRL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IXTA1N120P

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/ 26.19

Mín.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	1 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	17.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	63 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	Polar
Empaquetado:	Reel
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	27 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	54 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Peso de la unidad:	4 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.