IXFX52N60Q2

IXYS
747-IXFX52N60Q2
IXFX52N60Q2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 600V 0.12 Rds

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 111.71 S/ 111.71
S/ 91.42 S/ 914.20
S/ 80.71 S/ 9,685.20
10,020 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
52 A
115 mOhms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
735 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tiempo de caída: 8.5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 13 ns
Serie: IXFX52N60
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 56 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 23 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99