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IXFQ94N30P3

Name: IXYS IXFQ94N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFQ94N30P3
Price: 56.72 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFQ94N30P3

Fabricante N.º:

IXFQ94N30P3

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Hoja de datos:

IXFQ94N30P3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/ 34.40	S/ 344.00
	S/ 33.71	S/ 4,045.20
	S/ 32.98	S/ 16,819.80

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-3P-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	300 V
Id - Corriente de drenaje continua:	94 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	36 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	102 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.04 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IXFQ94N30
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	1.600 g

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.