IXFP3N80

IXYS
747-IXFP3N80
IXFP3N80

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3.6 Amps 800V 3.6 Rds

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 50   Múltiples: 50
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/18.58 S/929.00
S/15.01 S/1,501.00
S/13.33 S/6,665.00
S/11.78 S/11,780.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
3.6 A
3.6 Ohms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
100 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tiempo de caída: 14 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 11 ns
Serie: IXFP3N80
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 25 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 12 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99