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IXFN60N80P

Name: IXYS IXFN60N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN60N80P
Price: 219.17 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFN60N80P

Fabricante N.º:

IXFN60N80P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET DIODE Id54 BVdass800

Hoja de datos:

IXFN60N80P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/ 186.92	S/ 1,869.20
	S/ 163.49	S/ 16,349.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	53 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	140 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.04 mW
Serie:	IXFN60N80
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	26 ns
Altura:	9.6 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	29 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	110 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	36 ns
Ancho:	25.42 mm
Peso de la unidad:	30 g

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CNHTS:: 8504901900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.