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IXFN320N17T2

Name: IXYS IXFN320N17T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN320N17T2
Price: 161.42 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFN320N17T2

Fabricante N.º:

IXFN320N17T2

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Hoja de datos:

IXFN320N17T2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	170 V
Id - Corriente de drenaje continua:	260 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1.07 kW
Serie:	IXFN320N17
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	230 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	170 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	GigaMOS Trench T2 HiperFet
Tiempo de retardo de apagado típico:	115 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	46 ns
Peso de la unidad:	30 g

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Hoja de datos

IXFN320N17T2 Hoja de datos

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (T_C=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.