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IXFN220N20X3

Name: IXYS IXFN220N20X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN220N20X3
Price: 153.12 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFN220N20X3

Fabricante N.º:

IXFN220N20X3

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET MBLOC 200V 160A N-CH X3CLASS

Hoja de datos:

IXFN220N20X3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/153.12	S/153.12
	S/115.07	S/1,150.70

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	220 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	390 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	27 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	155 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	37 ns
Peso de la unidad:	123 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Heat Pumps

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IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).