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GS8161E18DGT-250V

Name: GSI Technology GS8161E18DGT-250V
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS8161E18DGT250V
Price: 193.5 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

464-GS8161E18DGT250V

Fabricante N.º:

GS8161E18DGT-250V

Fabricante:

GSI Technology

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) 1.8/2.5V 1M x 18 18M

Hoja de datos:

GS8161E18DGT-250V Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/ 188.04	S/ 1,880.40
	S/ 162.97	S/ 2,933.46
	S/ 159.14	S/ 17,187.12
	S/ 155.57	S/ 39,203.64
504	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	GSI Technology
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	18 Mbit
Organización:	1 M x 18
Tiempo de acceso:	5.5 ns
Frecuencia de reloj máxima:	250 MHz
Tipo de interfaz:	Parallel
Voltaje de alimentación - Máx.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Corriente de suministro - Máx.:	205 mA, 225 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TQFP-100
Empaquetado:	Tray
Marca:	GSI Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tipo de memoria:	SDR
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	GS8161E18DGT
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	SyncBurst
Tipo:	DCD Pipeline/Flow Through

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.