EPC2110

EPC
65-EPC2110
EPC2110

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 12500   Múltiples: 2500
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/ 4.30 S/ 53,750.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
BGA
N - Channel
2 Channel
120 V
3.4 A
110 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
0.8 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Empaquetado: Reel
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Peso de la unidad: 3 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

USHTS:
8541290040

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