EPC2012C

EPC
65-EPC2012C
EPC2012C

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
0

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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 15.95 S/ 15.95
S/ 10.49 S/ 104.90
S/ 7.35 S/ 735.00
S/ 6.45 S/ 3,225.00
S/ 6.19 S/ 6,190.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/ 5.25 S/ 13,125.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-4
N-Channel
1 Channel
200 V
5 A
100 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
1 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 2.800 mg
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99