Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

DI035P04PT

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

637-DI035P04PT

Fabricante N.º:

DI035P04PT

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P

Hoja de datos:

DI035P04PT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diotec Semiconductor DI035P04PT

Restricción de entrega:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerQFN 3x3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	35 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.7 V
Qg - Carga de puerta:	30 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DI035P04PT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	15 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	26 ns
Serie:	DI0XX
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns
Peso de la unidad:	160 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

DI035P04PT Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DIxxNxx-PQ N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DIxxNxx-PQ N-Channel Power MOSFETs are packaged in a compact 5mm x 6mm Power QFN package and operate in a -55°C to +150°C junction temperature range. At nominal 80A to 110A and 40V/60V/100V, these MOSFETs feature low on-state resistance, fast switching times, and low thermal resistance. The low gate threshold voltage allows for the logic level drive, while its very low gate charge and output charge reduce power losses and improve overall efficiency. Commercial, industrial, and automotive application uses include DC-DC converters, synchronous rectifiers, power tools, and more. The suffix -AQ stands for fully AEC-Q101 qualified parts.