MWT-1F

CML Micro
938-MWT-1F
MWT-1F

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre CML Micro MWT-1F

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 10   Múltiples: 10
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 274.56 S/ 2,745.60
S/ 273.70 S/ 8,211.00
S/ 261.05 S/ 26,105.00
250 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
CML Micro
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
GaAs
220 mA
12 GHz
10 dB
26 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Marca: CML Micro
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: MWT
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: MOSFETs
Nombre comercial: MWT-1F
Peso de la unidad: 0.110 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

EOL

Other

USHTS:
8541210040
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.