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SSM2212RZ-R7

Name: Analog Devices Inc. SSM2212RZ-R7
Brand: Analog Devices
SKU: 584-SSM2212RZ-R7
Price: 45.84 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

584-SSM2212RZ-R7

Fabricante N.º:

SSM2212RZ-R7

Fabricante:

Analog Devices

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

Hoja de datos:

SSM2212RZ-R7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/45.84	S/45.84
	S/35.86	S/358.60
	S/29.89	S/2,989.00
	S/26.62	S/13,310.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/22.58	S/22,580.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Dual
Corriente CC máxima de colector:	20 mA
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	40 V
Tensión VCBO colector-base:	40 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	50 mV
Producto para ganar Ancho de banda fT:	200 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	SSM2212
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Analog Devices
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	US
País de origen:	US
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	300 at 1 mA, 200 at 10 uA
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	540 mg

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ECCN:: EAR99

SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Analog Devices SSM2212 Dual-Matched NPN Transistors are dual, NPN-matched transistor pairs specifically designed to meet the requirements of ultra-low noise audio systems. With its extremely low input base spreading resistance (rbb' is typically 28Ω) and high current gain (hFE typically exceeds 600 at IC = 1mA), the SSM2212 can achieve outstanding signal-to-noise ratios. The high current gain results in superior performance compared to systems incorporating commercially available monolithic amplifiers.