AS6C6416-55BINTR

Alliance Memory
913-AS6C6416-55BINTR
AS6C6416-55BINTR

Fabricante:

Descripción:
Tamaño de memoria RAM (SRAM) 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch Tamaño de memoria RAM (SRAM) IT

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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No en existencias
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20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 2000   Múltiples: 2000
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
AS6C6416-55BIN
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
S/ 194.83
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:  
64 Mbit
4 M x 16
55 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
FBGA-48
Reel
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Tipo de memoria: SDR
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: SRAM
Serie: AS6C6416-55
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Tipo: Asynchronous
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

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