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AS4C64M16D3B-12BAN

Name: Alliance Memory AS4C64M16D3B-12BAN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-A4C64M16D3B12BAN
Price: 51 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

913-A4C64M16D3B12BAN

Fabricante N.º:

AS4C64M16D3B-12BAN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray

Hoja de datos:

AS4C64M16D3B-12BAN Hoja de datos (PDF)

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	S/ 47.39	S/ 473.90
	S/ 45.92	S/ 1,148.00
	S/ 44.85	S/ 2,242.50
	S/ 42.74	S/ 4,274.00
	S/ 40.76	S/ 7,744.40
	S/ 40.03	S/ 22,817.10
	S/ 39.56	S/ 45,098.40
2,660	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3
Tamaño de memoria:	1 Gbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	800 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-96
Organización:	64 M x 16
Tiempo de acceso:	20 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.425 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.575 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Serie:	AS4C64M16D3B
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	190
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	87 mA
Peso de la unidad:	3.698 g

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AS4C64M16D3B-12BAN Hoja de datos (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320032
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.