AS4C32M8SA-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C32M8SA7TCN
AS4C32M8SA-7TCN

Fabricante:

Descripción:
DRAM SDRAM, 256M, 32M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray

Modelo ECAD:
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En existencias: 9,912

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
6 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/25.37 S/25.37
S/23.65 S/236.50
S/22.92 S/573.00
S/22.40 S/1,120.00
S/15.44 S/1,667.52
S/15.14 S/3,270.24
S/15.05 S/8,127.00
S/14.96 S/16,156.80
S/13.24 S/34,318.08

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
8 bit
143 MHz
TSOP-II-54
32 M x 8
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C32M8SA
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 108
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 55 mA
Peso de la unidad: 2.171 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.