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AS4C256M16D3LC-10BIN

Name: Alliance Memory AS4C256M16D3LC-10BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C256M16D3L10BIN
Price: 105.74 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

913-4C256M16D3L10BIN

Fabricante N.º:

AS4C256M16D3LC-10BIN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray

Hoja de datos:

AS4C256M16D3LC-10BIN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/ 105.74	S/ 105.74
	S/ 97.87	S/ 978.70
	S/ 94.73	S/ 2,368.25
	S/ 92.41	S/ 4,620.50
	S/ 88.45	S/ 8,845.00
	S/ 87.38	S/ 18,262.42
	S/ 86.65	S/ 36,219.70
1,045	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	933 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-96
Organización:	256 M x 16
Tiempo de acceso:	20 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.283 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.45 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	209
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	84 mA

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Hoja de datos

AS4C256M16D3LC-10BIN Hoja de datos (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.