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Información del producto:

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Imagen: Product 551-CE7613M4 Product 551-CE7613M4-C2
N.º de artículo de Mouser: 551-CE7613M4 551-CE7613M4-C2
N.º de artículo del fabricante: CE7613M4 CE7613M4-C2
Fabricante: CEL CEL
Descripción: RF JFET Transistors RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead RF JFET Transistors RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Ciclo de vida: - -
Hoja de datos: CE7613M4 Hoja de datos (PDF) CE7613M4-C2 Hoja de datos (PDF)
RoHS:    

Especificaciones

Marca: CEL CEL
Configuración: Single Single
País de ensamblaje: Not Available Not Available
País de difusión: Not Available Not Available
País de origen: JP JP
Transconductancia hacia delante - Mín.: 51.8 mS 51.8 mS
Ganancia: 14.1 dB 14.1 dB
Voltaje de corte puerta-fuente: 400 mV 400 mV
Id - Corriente de drenaje continua: 10 mA 10 mA
Fabricante: CEL CEL
Temperatura de trabajo máxima: + 125 C + 125 C
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C - 55 C
Estilo de montaje: SMD/SMT SMD/SMT
NF - Figura de ruido: 0.35 dB 0.35 dB
Frecuencia de trabajo: 12 GHz 12 GHz
Paquete / Cubierta: minimold-4 minimold-4
Empaquetado: Bulk Reel
Dp - Disipación de potencia : 125 mW 125 mW
Tipo de producto: RF JFET Transistors RF JFET Transistors
Serie: CE7613M4 CE7613M4
Cantidad de Paquete Estándar: 1 15000
Subcategoría: Transistors Transistors
Tecnología: Si Si
Tipo de transistor: pHEMT -
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 2 V 2 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente: - 400 mV - 400 mV

Información del pedido

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