Comparar producto similar
Información del producto: |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Producto actual | Primero Producto similar | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo de Mouser: | 863-NVMFS5C404NT1G | 863-NVMFS5C404NAFT1G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | NVMFS5C404NT1G | NVMFS5C404NAFT1G | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | onsemi | onsemi | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.7 MOHMS SL | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | - | Not Recommended for New Designs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | NVMFS5C404NT1G Hoja de datos | NVMFS5C404NAFT1G Hoja de datos | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Marca: | onsemi | onsemi | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | MY | MY | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de caída: | 109 ns | 109 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 210 S | 210 S | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 378 A | 378 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | onsemi | onsemi | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 175 C | + 175 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | SMD/SMT | SMD/SMT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | SO-8FL-4 | SO-8FL-4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Reel | Reel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 200 W | 3.9 W, 200 W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 128 nC | 128 nC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Calificación: | AEC-Q101 | AEC-Q101 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 700 uOhms | 570 uOhms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de subida: | 113 ns | 113 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | NVMFS5C404NWFET1G | NVMFS5C404N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 1500 | 1500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 77 ns | 77 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | 16 ns | 16 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 40 V | 40 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 2 V | 2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | - | 1 N-Channel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Existencias: | 1,715 Se puede enviar inmediatamente | 1,357 Se puede enviar inmediatamente | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 40 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | 45 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Comprar: |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Precio: |
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
|
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
↩
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
